深圳市芯福林电子科技有限公司

比如天岳先进在2023年度业绩说明会上，就已经宣布公司8英寸SiC衬底产品实现了批量化销售；另外包括烁科晶体、晶盛机电、天科合达、同光股份等都已经进行了小批量生产。

8英寸外延片方面，天域半导体、瀚天天成、百识电子都已经具备8英寸SiC外延片的供应能力。

晶圆制造方面，由于晶圆尺寸的迭代需要先与上游的衬底和外延片厂商紧密合作，晶圆制造产线需要配合上游衬底的量产节点来推进。而当前8英寸SiC衬底和外延片已经开始出货后，自然晶圆制造端也要跟上。

zui近芯联集成宣布8英寸SiC工程批顺利下线，成为了国内shou家开启8英寸SiC制造的晶圆厂。目前，碳化硅单器件价格普遍为硅器件的4、5倍左右。碳化硅器件要被广泛采用，成本必须持续优化，如今业内的目标是将碳化硅器件的成本降到硅器件的2.5倍甚至2倍以内。

芯联集成8英寸SiC晶圆产线的打通，一方面是打通了在功率器件在8英寸SiC晶圆上的制造能力，通过扩大晶圆面积，来降低单芯片的成本；另一方面也能够配合国产8英寸SiC衬底，将SiC本土制造产业链打通，进一步降低成本的同时，也能够保障供应链安全。

因为芯联集成总经理赵奇在5月份的采访中也提到，目前公司SiC外延片和衬底片供应商90%来自国内，未来8英寸规模量产后采用国内供应商完全没有问题。

当然，降低成本的方向也不仅是晶圆尺寸的增加，比如从生产上提高良率、在器件设计上采用沟槽栅等。MOSFET等功率芯片是由多个元胞组成，以往SiC MOSFET芯片是使用平面栅结构，但这种结构限制了元胞间距。采用沟槽栅结构后，能够有效缩小元胞间距，降低芯片面积，同尺寸晶圆下就能切出更多的功率芯片。

小结：

目前，国内8英寸SiC产业链上，还有众多项目正在进行建设，包括上游衬底、外延，下游晶圆制造/代工、功率模块封测等。而随着整体产业链在8英寸产线上的落地速度加快，未来SiC降本的节奏可能还将会继续加速。